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本帖最后由 zkyioe 于 2018-5-1 19:52 编辑 ' R% ]9 b; X7 U
, k `0 n; W- F; O3 a基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响
; [! Q: t& o' ~* T6 b; ^6 s& I% r为了改善SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜的应力问题,选用2英寸圆形GaAs基底,保持其他工艺条件不变,分别在不同的基底温度和离子源能量下对这三种薄膜进行了制备,采用BGS6341A型电子薄膜应力分布测试仪对薄膜应力进行了测试,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。实验结果表明电子束蒸发制备的SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜表面应力分布不均匀,通过调节基底温度和离子源能量,实验中SiO2、TiO2和Al2O3薄膜平均应力最小值分别为2.9MPa、8.4MPa.. 0 L8 D9 N' x7 C n: b) w
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发表于 2018-5-1 11:49:30
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