工艺参数和热处理温度对ZrW2O8薄膜制备的影响

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　　摘　要：采用WO3和ZrO2复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜.利用X射线衍射仪（XRD）、表面粗糙轮廓仪和扫描电子显微镜（SEM）,研究了不同工艺参数和不同退火温度对ZrW20s薄膜的相组成、沉积速率和表面形貌的影响.采用高温X射线衍射和Powder X软件研究薄膜的负热膨胀特性.实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW20s薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大;在740℃热处理3 n血后得到膜层颗粒呈短棒状的三方相ZrW2O8薄膜,在1200℃密闭条件下热处理3 min淬火后得到膜层颗粒呈球状的立方相ZrW2O8薄膜,且具有良好的负热膨胀特性.

　　关键词：钨酸锆;薄膜;磁控溅射;负热膨胀

$ E3 D$ y+ ]6 p0 C: o) M; s5 d 　　分类号：O484.5;TB43　文献标识码：A
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7 O0 l5 u- |& h9 E5 R' W 　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-042-05

4 v; N1 l1 r5 B  S( L Deposition Conditions and Growth of ZrW2O8
9 H5 w# J& O* m( h) Z
Liu Hongfei　 Cheng Xiaonong　 Zhang Zhiping　 Fu Tingbo