找回密码
 注册
查看: 238|回复: 0

薄膜的应力控制技术研究现状

[复制链接]
发表于 2025-7-22 10:34:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
  摘 要:薄膜应力普遍存在于薄膜元器件中,从而影响薄膜器件性能,限制了其良好的应用前景.所以控制薄膜的应力,消除其不良影响,是薄膜生产工艺中不可或缺的技术手段.本文对此详细阐述了几种常用的薄膜应力控制方法,并对以后研究工作的开展提出几点要求. : [& l, J9 X/ R/ Z% p# T* I9 P
, i- W4 V' x9 H7 Q. l
  关键词:薄膜;应力;控制技术 8 J6 M5 O/ }+ z

9 H) V) U- L+ ]5 Y   分类号:O484.2 文献标识码:A
* O$ S! c2 v4 _6 ]
& u# w; t  ^8 e+ D" W   文章编号:1672-7126(2008)增刊-017-05 6 `% ]7 ?& P. v
* I. _! A* X$ J  V4 \
Stress Release and Control of Thin Films materials Used in Devices Fabrication # o3 Z4 A( Q  e9 ]& c

$ R8 u; u# p6 b4 \2 M1 W Jiang Zhao  Chen Xuekang 3 ?7 s& a3 t9 t/ l) k- V
! i( y- _7 W* u. b! V6 [
  蒋钊,联系人:Tel:13893225634;E-mail:qqq-128@163.com
* W, C+ t2 c6 E. k, r: ?" {  l7 m1 s: c3 y
  作者单位:蒋钊(兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000) 5 @8 }1 @! S7 a; X

) B6 s- l2 [* z9 v2 `& n   陈学康(兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000)
1 G  G; p: b5 E+ x" i& s* j- L1 X# M$ N7 a; L" M
  参考文献: & ]$ P; C; K0 c/ B( a
* P. R8 H8 _: Q+ _' I( T- [
  [1]范瑞瑛,范正修.薄膜应力分析及一些测量结果.光学仪器,2001,23(5-6):84-96
+ f# _" U# a( \5 m
+ _* H+ v+ v0 m0 _, b- I, T   [2]范玉殿,周志峰.薄膜内应力的起源.材料科学与工程,1996,14(1):5-12 6 y# g. n) F9 G4 S9 c& V- F/ ~
- o' @( `1 J. K6 b
  [3]卜锦鑫.碟形热双金属片曲率和温度的关系.低压电器,2000,1:53-55
$ N/ I6 h* K5 M2 b5 y, ?* ]: L; ?5 v( A; T( d
  [4]范玉殿,周志峰.薄膜热应力的研究.真空科学与技术学报,1996,16(5):347-353
3 ~. W, R4 ^; ~" W* k3 x% K
8 b& u, w; s& {1 Y; f0 ~   [5]Oliveira J C and Cavaleiro A.Influence of substrate properties and annealing temperature on the stress state of magnetron sputtered tungsten thin films.J Vac Sci Technol,2006,A 24(6):2071-2075 : N5 `3 z2 n/ x+ f/ y* a) E
, x+ j9 ?5 j- g0 }, @  _5 P
  [6]宋学萍,周桃飞,赵宗彦,等.退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响.材料科学与工程,2003,21(5):724-726
( w! [5 ^7 g& y4 ^
7 j- C4 \# O5 H   [7]安兵,张同俊,袁超,等.对Ag/Cu薄膜退火应力的模拟.材料研究学报,2003,17(5):460-464 2 [- [: H: g7 K7 ]* \: v3 p
8 r/ y  e5 `7 T
  [8]Tbeuless M D,Gupta J,Harper J M E.Stress development and relaxation in copper films during thermai cycling.J Master Res,1993,8(8):1845
8 W6 M# A& t% q8 n0 X# G% a( y# w( L0 O( x; t5 q% p5 X
  [9]Keller R M,Baker S P,Arzt E.Stress-temperature behavior of unpassivated thin copper films.Aeta Master,1999,47(2):415
6 A1 w$ B! S$ W$ n  U& z: k, y. f
- `1 [, v0 c; J7 q9 [4 ?   [10]Zhang X,Cben K S,Spearing S M.Themro-mechanical behavior of thick PECVD oxide films for power MEMS applications[J].Sensors and Actuators,2003,A 103:263-270 3 y/ \, I7 E! B! l" s

/ a6 i5 G- m7 q1 H0 e   [11]程开甲,程漱玉.薄膜内应力的分析和计算.自然科学进展.1998,8(1):21-22 6 d$ O  K8 j1 x' D& ]: }& B/ _) T+ Y
6 X* b9 N' H2 t) U& i
  [12]程开甲,程漱玉.电子边界是决定分子间作用特性的重要条件.科技导报,1993,12:30
$ r7 N1 a# K- G! e7 Z2 B/ x" v
# U- B0 h; C  f' t   [13]程开甲,程漱玉.TFD模型和余氏理论对材料设计的应用.自然科学进展,1993,3(5):417 % E! Y6 w2 ^; `5 I3 z- S
% L/ R7 d9 ~4 L- Y, G6 t
  [14]刘继峰,冯嘉酞,朱静.CoSi2薄膜内应力的微观机制研究.自然科学进展,2001.11(2):163-167 , E) a( D! r, ~* \

' t. o# ~/ O* ?8 m7 l& ]   [15]王若楠,刘继峰.C+离子注入对CoSi2薄膜应力的研究[J].自然科学进展2002,12(12):1296-1300
( p( R+ `, k: U* _
2 x3 P) x$ X7 O( a* I4 m$ }4 ^" w   [16]Kupfer H,Flugel T,Richter F,et al.Opertical properties and mechanical stress in SiO2/Nb2O5 multilayers.Thin solid films,2001,389:278-283 ' Q* Q2 N: ^, J% {5 v

5 t. m/ q. U, u: M+ C; L   [17]Hoffman D W.Perspective on stresses in magnetron-sputtered thin films.J Vac Sci.Technol.1994,A12(4):953-961 ; _5 O+ A9 {# F4 X( |5 q
3 Q- J7 Z# b( s3 W
  [18]邵淑英,范正修,邵建达.ZrO2薄膜应力实验研究.光学学报,2004,24(5):437-411
! H% p' i1 S2 L: C3 p  ~: [8 ^' r# M' f3 V
  [19]邵淑英,范正修,范瑞瑛,等.沉积温度对ZrO2薄膜性质的影响.中国激光,2004,31(6):701-704 5 S/ G7 H9 M4 {; m: Z3 K
& F4 o9 d9 j8 \$ I1 `% a0 _
  [20]范玉殿,周志峰.薄膜溅射沉积过程中的原子喷丸效应.真空科学与技术学报,1996,16(4):235-241 8 b, w. J; v  q9 m% c9 j0 l* Z  }
2 S. Y" n7 f8 M) \. c
  [21]Vink T J,Walrave W,Daams J L C,et al.Stress,strain and microstructure in thin tungsten films deposited by de magnetron sputtering.J.Appl Plays,1994,74(2):988-994
! E5 U5 u6 U% f& s4 H3 y4 ~' v2 |5 Z# i5 R  A6 P! r
  [22]Satomi N,Kitamura M,Sasaki T,et al.Internal stress control of benin thin film.Fusion engineering and design,1998,39-40:493-497
. A, l& }# v, Z; r1 B' e5 l7 m0 B
3 k1 ?& }) `! M4 W! Z7 }# E   [23]Hoffman D W.Internal stress in sputtered chromium.Thin solid films,1977,40:355 " \# _4 L  i$ w

  s0 `, [8 j1 S- Q: d6 |; u   [24]Cuomo J J,Harper J M E,Guamieri C R.Modification of niobium film stress by low-energy ion bombardment during deposition.J Vae Sci.Technol,1982,20:349-354 . t' L7 i& {# O3 b0 Z+ D. a
( @, m7 z: Z- ?& \
  [25]吕学超,汪小琳,鲜晓斌,等.偏压对铀上磁控溅射铝镀层微结构及残余应力的影响.原子能科学技术,2003,37:122-123
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|光学薄膜论坛

GMT, 2026-6-14 , Processed in 0.019378 second(s), 23 queries .

Powered by Discuz! X3.5 Licensed

© 2001-2026 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表